200N12場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),200N12規(guī)格書(shū),200N12引腳圖,200N12中文資料pdf代替
200N12 TO-220封裝參數(shù)：點(diǎn)擊查看
200N12場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)具體如下：
封裝類(lèi)型：TO-220
極性：N溝道
極性：N溝道
漏極電流：200A
功率耗散：300W
柵極源極擊穿電壓：±20V
擊穿電壓：120V
存儲(chǔ)溫度：-55℃~+150℃
引腳數(shù)：3Pin
導(dǎo)通電阻ID=84A,VGS=10V：Typ 2.6mΩ Max 3.4mΩ
導(dǎo)通電阻ID=84A,VGS=4.5V：Typ mΩ Max mΩ
導(dǎo)通電阻ID=84A,VGS=4.5V：Typ mΩ Max mΩ
工作溫度：-55℃~+150℃
二、作用與應(yīng)用
200N12場(chǎng)效應(yīng)管的核心作用是作為電子開(kāi)關(guān)使用。在電路中，它通過(guò)控制柵極電壓來(lái)調(diào)節(jié)漏源路徑上的電流流動(dòng)，實(shí)現(xiàn)對(duì)負(fù)載的精確控制。由于其出色的電氣性能，200N12廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
電源管理：200N12可用于開(kāi)關(guān)電源的開(kāi)關(guān)控制部分，提高電源轉(zhuǎn)換效率。
信號(hào)放大：在信號(hào)放大電路中，200N12通過(guò)其高性能和可調(diào)控的電流特性，實(shí)現(xiàn)對(duì)信號(hào)的精準(zhǔn)放大。
電機(jī)驅(qū)動(dòng)：適用于低電壓、低電流的小型伺服電機(jī)控制或功率MOSFET門(mén)驅(qū)動(dòng)器。
邏輯電路：200N12可用于實(shí)現(xiàn)數(shù)字邏輯功能，如與、或、非等邏輯門(mén)。
負(fù)載驅(qū)動(dòng)：200N12可用于驅(qū)動(dòng)小功率負(fù)載，如繼電器、LED等。
200N12場(chǎng)效應(yīng)管 TO-220封裝尺寸：
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